檢索結果：共17筆資料 檢索策略： "Jung-Chieh Su".ecommittee (精準) and ckeyword.raw="氮化鎵"
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發光二極體(Light Emitting Diode, LED)的壽命及性能較傳統光源優異許多，但是散熱的問題一直是影響發光二極體發光效率與壽命的關鍵原因之一。而氮化鎵材料為了降低生產成本，必須磊晶…
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本論文使用InGaN/GaN多重量子井主動層結構磊晶在圖形化藍寶石基板的晶圓，製作兩種不同種類的光偵測器，第一種為p-i-n結構光偵測器，第二種為n-p-i-n結構光電晶體光偵測器，後者使用矽擴散的…
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覆晶封裝技術為藍光發光二極體之主流技術，本論文以藍寶石基板之氮化鎵材料為主，開發覆晶式發光二極體製程技術為目的，可大幅提升氮化鎵發光二極體輸出功率與效率。 覆晶發光二極體必須達到低電阻與高反…
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本論文研究積體化氮化鎵光電晶體光偵測器與七段顯示器的元件製作、模組電路設計與特性量測。光電晶體可以放大光電流，氮化鎵光電晶體適合偵測環境的紫外線照度，與七段顯示器積體化可顯示紫外線危險級數或顯示…
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本論文研發氮化鎵表面粗糙化技術並嘗試應用於提升氮化鎵太陽能電池光電流。由於商用氮化鎵晶圓是為做LED元件設計，主動層多重量子井數目較少。為了避免QCSE (quantum-confined Star…
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在發光二極體(Light emitting diode, LED)中，串聯電阻造成額外的能量損耗並產生熱，為降低串聯電阻值，本論文先建立LED元件電路模型，依據電流擴散路徑，分析總串聯電阻分別為何處…
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InxGa1-xN系統之能隙可以由3.42eV （GaN）調變至0.7eV （InN），其能隙幾乎涵蓋了地球表面上收到的太陽光的頻譜，所以選擇氮化鎵系統半導體材料進行太陽電池之研究。 本論文主要將以…
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本研究旨在探討乾式以及濕式蝕刻對於VCSEL共振腔端面的影響。透過兩種商用矽基板磊晶生長的氮化鎵LED晶圓，我們成功研製出了改善共振腔端面粗糙度的方法，使用KOH和UVO製程，成功將共振腔端面的表面…
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發光二極體LED (Light Emitting Doide)其用途及性能都極為廣泛，但發光二極體主要是在藍寶石基板上磊晶，所以散熱一直是個問題，為了改善這問題，而利用覆晶封裝及雷射剝離藍寶石基…
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本論文利用三族氮化物中，具有紫外光至藍光吸收波段之氮化鎵材料研製光偵測器，可應用為紫外光或藍光感測器，並以GaN/InGaN多重量子井主動層結構製作PIN(p-intrinsic-n-type)光偵…